casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / NX2301P,215
codice articolo del costruttore | NX2301P,215 |
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Numero di parte futuro | FT-NX2301P,215 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
NX2301P,215 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 1A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 380pF @ 6V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 400mW (Ta), 2.8W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-236AB |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NX2301P,215 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NX2301P,215-FT |
BUK9635-100A,118
NXP USA Inc.
BUK9635-55,118
NXP USA Inc.
BUK9637-100E,118
Nexperia USA Inc.
BUK963R1-40E,118
Nexperia USA Inc.
BUK963R2-40B,118
Nexperia USA Inc.
BUK963R3-60E,118
Nexperia USA Inc.
BUK964R2-55B,118
Nexperia USA Inc.
BUK964R2-60E,118
Nexperia USA Inc.
BUK964R2-80E,118
Nexperia USA Inc.
BUK964R7-80E,118
Nexperia USA Inc.
XC2VP4-6FGG256C
Xilinx Inc.
XC4052XL-3HQ304C
Xilinx Inc.
XC2V250-6FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A42MX36-PQ208I
Microsemi Corporation
M2GL090TS-1FGG676I
Microsemi Corporation
LFEC10E-4QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100QC208-3N
Intel
EP4SGX180FF35C2XN
Intel
EP1SGX25DF1020C6
Intel