codice articolo del costruttore | NDS335N |
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Numero di parte futuro | FT-NDS335N |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NDS335N Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.7A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.7V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 1.7A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | 8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 240pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 500mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SuperSOT-3 |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NDS335N Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NDS335N-FT |
2N7002E
Vishay Siliconix
2N7002L6327HTSA1
Infineon Technologies
2N7002MTF
ON Semiconductor
2N7002_L99Z
ON Semiconductor
2N7002_NB9G002
ON Semiconductor
2N7002_S00Z
ON Semiconductor
2SK122800L
Panasonic Electronic Components
5X49_BG7002B
ON Semiconductor
BSS119 E6433
Infineon Technologies
BSS119 E7796
Infineon Technologies
XC3S700A-4FGG400C
Xilinx Inc.
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQG100I
Microsemi Corporation
EP2S15F672C5
Intel
5SGSMD5K2F40C2N
Intel
XC5VLX110-3FF1153C
Xilinx Inc.
XC7A100T-1CSG324I
Xilinx Inc.
A42MX16-3PQ100I
Microsemi Corporation
EPF10K100EQC240-1X
Intel
EP20K160EQC208-1
Intel