casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / PMEM4010PD,115
codice articolo del costruttore | PMEM4010PD,115 |
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Numero di parte futuro | FT-PMEM4010PD,115 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PMEM4010PD,115 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | PNP + Diode (Isolated) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 1A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 310mV @ 100mA, 1A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 300 @ 100mA, 5V |
Potenza - Max | 600mW |
Frequenza - Transizione | 150MHz |
temperatura di esercizio | 125°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-74, SOT-457 |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-TSOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMEM4010PD,115 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PMEM4010PD,115-FT |
MMBT4356
ON Semiconductor
MMBT4400
ON Semiconductor
MMBT4401
ON Semiconductor
MMBT4401K
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MMBT4401_D87Z
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MMBT4403K
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MMBT5087
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MMBT5087LT1
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MMBT5088LT1
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XC4003E-4PQ100I
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5SGXEA7H3F35C2LN
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XC5VLX110T-2FFG1738I
Xilinx Inc.
LFE2M35E-6FN484I
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