casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / MMBT5087
codice articolo del costruttore | MMBT5087 |
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Numero di parte futuro | FT-MMBT5087 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MMBT5087 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 250 @ 100µA, 5V |
Potenza - Max | 350mW |
Frequenza - Transizione | 40MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBT5087 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MMBT5087-FT |
BFN26E6433HTMA1
Infineon Technologies
BFN27E6327HTSA1
Infineon Technologies
BSR13
ON Semiconductor
BSR14_D87Z
ON Semiconductor
BSR15
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BSR17A_D87Z
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BSR18A
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BSR18A_D87Z
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BSR18B
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BSS63
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AFS600-2FG256I
Microsemi Corporation
APA600-FG256I
Microsemi Corporation
5CEFA7M15I7N
Intel
XC2V2000-5BG575I
Xilinx Inc.
A42MX16-TQG176I
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M1A3P1000-2FGG144
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LFEC10E-3FN256I
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LCMXO640E-5M100C
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K10LV-3AJI
Microchip Technology
EP2SGX30CF780C4
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