casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / PMEG40T30EPX
codice articolo del costruttore | PMEG40T30EPX |
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Numero di parte futuro | FT-PMEG40T30EPX |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
PMEG40T30EPX Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 40V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 450mV @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 21ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 28µA @ 40V |
Capacità @ Vr, F | 560pF @ 1V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOD-128 |
Pacchetto dispositivo fornitore | CFP5 |
Temperatura operativa - Giunzione | 175°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMEG40T30EPX Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PMEG40T30EPX-FT |
PMEG2002ESF,315
Nexperia USA Inc.
PMEG3002ESFYL
Nexperia USA Inc.
PMEG3005AESFYL
Nexperia USA Inc.
PMEG3005ESFYL
Nexperia USA Inc.
PMEG1201AESFYL
Nexperia USA Inc.
BAS16LD,315
Nexperia USA Inc.
PMEG6002ELDYL
Nexperia USA Inc.
PMEG2005AELD,315
Nexperia USA Inc.
BAS21LDYL
Nexperia USA Inc.
BAS21LLYL
Nexperia USA Inc.
A40MX04-VQ80A
Microsemi Corporation
XC2VP30-5FGG676C
Xilinx Inc.
APA750-BG456I
Microsemi Corporation
AFS250-FGG256
Microsemi Corporation
AGLN125V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I3LN
Intel
EP3SE80F1152C3N
Intel
10AX057K3F35E2LG
Intel
EP1S40F780I6
Intel
EP1SGX40GF1020C6
Intel