casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / PMEG2002ESF,315
codice articolo del costruttore | PMEG2002ESF,315 |
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Numero di parte futuro | FT-PMEG2002ESF,315 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PMEG2002ESF,315 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 20V |
Corrente: media rettificata (Io) | 200mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 490mV @ 100mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 1.9ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 3.5µA @ 20V |
Capacità @ Vr, F | 25pF @ 1V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0201 (0603 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | DSN0603-2 |
Temperatura operativa - Giunzione | 125°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMEG2002ESF,315 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PMEG2002ESF,315-FT |
MBR5H100MFST1G
ON Semiconductor
MBR5H100MFST3G
ON Semiconductor
MBR830MFST3G
ON Semiconductor
MBR860MFST3G
ON Semiconductor
MBR8H100MFST1G
ON Semiconductor
MBR8H100MFST3G
ON Semiconductor
NRVB10100MFST1G
ON Semiconductor
NRVB10100MFST3G
ON Semiconductor
NRVB1045MFST1G
ON Semiconductor
NRVB1045MFST3G
ON Semiconductor
XC6SLX150-3FGG676C
Xilinx Inc.
XC4003E-2VQ100C
Xilinx Inc.
XC4008E-1PQ208C
Xilinx Inc.
APA750-FG896
Microsemi Corporation
A3P250-PQG208I
Microsemi Corporation
A3P125-1VQG100
Microsemi Corporation
5SGTMC7K3F40C1N
Intel
XC4003E-2PC84I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HC-4BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HC-6FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation