casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / PMEG4010BEA,115
codice articolo del costruttore | PMEG4010BEA,115 |
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Numero di parte futuro | FT-PMEG4010BEA,115 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PMEG4010BEA,115 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 40V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 640mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 40V |
Capacità @ Vr, F | 50pF @ 1V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-76, SOD-323 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-323 |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMEG4010BEA,115 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PMEG4010BEA,115-FT |
NUR460/L04,112
NXP USA Inc.
BYC30W-600PQ
WeEn Semiconductors
BYC30W-1200PQ
WeEn Semiconductors
BY229-600,127
NXP USA Inc.
BY329-1000,127
NXP USA Inc.
BY329-1200,127
NXP USA Inc.
BY329-1500S,127
NXP USA Inc.
BY359-1500,127
NXP USA Inc.
BY459-1500,127
NXP USA Inc.
PMLL4148L,115
Nexperia USA Inc.
XC2S30-6TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K3F40I3N
Intel
5SGXEB5R2F40C2L
Intel
5SGXMA5H1F35I2N
Intel
EP4SE360F35I3N
Intel
XC5VLX50T-2FFG665I
Xilinx Inc.
AGL600V5-CS281I
Microsemi Corporation
EP20K1000EBC652-1
Intel
EPF10K130EQC240-2
Intel