casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BY329-1000,127
codice articolo del costruttore | BY329-1000,127 |
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Numero di parte futuro | FT-BY329-1000,127 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BY329-1000,127 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.85V @ 20A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 135ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1mA @ 800V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AC |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BY329-1000,127 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BY329-1000,127-FT |
80SQ045NRL
ON Semiconductor
MBR3100
ON Semiconductor
MBR3100RL
ON Semiconductor
MBR340
ON Semiconductor
MBR340RL
ON Semiconductor
MBR350RL
ON Semiconductor
MBR360
ON Semiconductor
MBR360RL
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MBR835RL
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MBR840RL
ON Semiconductor
LCMXO1200E-3T100C
Lattice Semiconductor Corporation
MPF300TS-1FCG484I
Microsemi Corporation
EP1S20F672C6
Intel
EPF10K100ABI600-2
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EP3C25F256A7N
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5SGXMA4K2F40C1N
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10CL016ZE144I8G
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5AGXMA3D4F27I3N
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A54SX08A-TQG100
Microsemi Corporation
5CGTFD9C5F23I7N
Intel