casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / PMEG2002AESF,315
codice articolo del costruttore | PMEG2002AESF,315 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-PMEG2002AESF,315 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PMEG2002AESF,315 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 20V |
Corrente: media rettificata (Io) | 200mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 420mV @ 200mA |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 1.9ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 45µA @ 20V |
Capacità @ Vr, F | 25pF @ 1V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0201 (0603 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | DSN0603-2 |
Temperatura operativa - Giunzione | 125°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMEG2002AESF,315 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PMEG2002AESF,315-FT |
MBR540MFST3G
ON Semiconductor
MBR5H100MFST1G
ON Semiconductor
MBR5H100MFST3G
ON Semiconductor
MBR830MFST3G
ON Semiconductor
MBR860MFST3G
ON Semiconductor
MBR8H100MFST1G
ON Semiconductor
MBR8H100MFST3G
ON Semiconductor
NRVB10100MFST1G
ON Semiconductor
NRVB10100MFST3G
ON Semiconductor
NRVB1045MFST1G
ON Semiconductor
A54SX16P-2TQG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC7K410T-2FBG676C
Xilinx Inc.
EP2AGX65DF25C5
Intel
5SGXMABN3F45I3N
Intel
5SGXMA5H2F35I3N
Intel
XCV50-5BG256I
Xilinx Inc.
A42MX09-TQG176I
Microsemi Corporation
LFEC20E-3FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7D6F31I7
Intel