casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / PMEG045V150EPDZ
codice articolo del costruttore | PMEG045V150EPDZ |
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Numero di parte futuro | FT-PMEG045V150EPDZ |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
PMEG045V150EPDZ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 45V |
Corrente: media rettificata (Io) | 15A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 490mV @ 15A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 19ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 900µA @ 45V |
Capacità @ Vr, F | 610pF @ 10V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-277, 3-PowerDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | CFP15 |
Temperatura operativa - Giunzione | 175°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMEG045V150EPDZ Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PMEG045V150EPDZ-FT |
PMEG3010ET,215
Nexperia USA Inc.
MMBD4148,215
Nexperia USA Inc.
BAS116,215
Nexperia USA Inc.
PMEG3005ET,215
Nexperia USA Inc.
BAS21,235
Nexperia USA Inc.
BAS40,235
Nexperia USA Inc.
BAT54,235
Nexperia USA Inc.
BAT720,235
Nexperia USA Inc.
PMBD914,235
Nexperia USA Inc.
BAL99,215
Nexperia USA Inc.
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel