casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BAS116,215
codice articolo del costruttore | BAS116,215 |
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Numero di parte futuro | FT-BAS116,215 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAS116,215 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 75V |
Corrente: media rettificata (Io) | 215mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 150mA |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 3µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5nA @ 75V |
Capacità @ Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-236AB |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS116,215 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAS116,215-FT |
MBRS410LT3G
ON Semiconductor
SBRS8340T3G
ON Semiconductor
MBRS320T3G
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MBRS410ET3G
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MURS480ET3G
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SBRS8320T3G
ON Semiconductor
SURS8320T3G
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MBRS3201T3G
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SURS8340T3G
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NRVBS3201T3G
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XC3042A-7PQ100C
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M2GL050-FCSG325
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M2GL010TS-1VFG256T2
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5SGXEA5K2F40C2N
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10AX027H3F34E2SG
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XCS10-4PC84C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-7FN900C
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LFE2M35E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA7G4F31C4N
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EP2AGX95EF35C6ES
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