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Nexperia USA Inc. PMDXB600UNEZ

Name: PMDXB600UNEZ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: PMDXB600UNEZ
Price: 0.16588 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (16 reviews)

Numero parte MFG: PMDXB600UNEZ

quantità disponibile: 62570 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.16588

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Nexperia USA Inc.

Breve descrizione: TrenchFET® MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFET - Array

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: PMDXB600UNEZ.pdf

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PMDXB600UNEZ specificazioni

codice articolo del costruttore	PMDXB600UNEZ
Numero di parte futuro	FT-PMDXB600UNEZ
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	TrenchFET®
PMDXB600UNEZ Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	600mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	620 mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	950mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.7nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	21.3pF @ 10V
Potenza - Max	265mW
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	6-XFDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore	DFN1010B-6
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PMDXB600UNEZ Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	PMDXB600UNEZ-FT

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