casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / PMCM6501UNEZ
codice articolo del costruttore | PMCM6501UNEZ |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-PMCM6501UNEZ |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PMCM6501UNEZ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.2nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | - |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 400mW |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-WLCSP (1.48x.98) |
Pacchetto / caso | 6-XFBGA, WLCSP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMCM6501UNEZ Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PMCM6501UNEZ-FT |
PH2030AL,115
NXP USA Inc.
PH2230DLSX
Nexperia USA Inc.
PH2520U,115
Nexperia USA Inc.
PH2525L,115
Nexperia USA Inc.
PH2530AL,115
Nexperia USA Inc.
PH2625L,115
Nexperia USA Inc.
PH2925U,115
Nexperia USA Inc.
PH3030AL,115
Nexperia USA Inc.
PH3075L,115
NXP USA Inc.
PH3120L,115
Nexperia USA Inc.
XC2VP4-6FGG256C
Xilinx Inc.
XC4052XL-3HQ304C
Xilinx Inc.
XC2V250-6FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A42MX36-PQ208I
Microsemi Corporation
M2GL090TS-1FGG676I
Microsemi Corporation
LFEC10E-4QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100QC208-3N
Intel
EP4SGX180FF35C2XN
Intel
EP1SGX25DF1020C6
Intel