casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / PMBT3906M,315
codice articolo del costruttore | PMBT3906M,315 |
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Numero di parte futuro | FT-PMBT3906M,315 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
PMBT3906M,315 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 200mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 50mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 50nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 1V |
Potenza - Max | 590mW |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-101, SOT-883 |
Pacchetto dispositivo fornitore | DFN1006-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMBT3906M,315 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PMBT3906M,315-FT |
MMJT9435T1G
ON Semiconductor
MMJT9435T3
ON Semiconductor
MMJT9435T3G
ON Semiconductor
NSVBSP19AT1G
ON Semiconductor
PZT2907AT3
ON Semiconductor
PZT3906T1
ON Semiconductor
PZT3906T1G
ON Semiconductor
PZTA42T1
ON Semiconductor
PZTA92T1
ON Semiconductor
2SC3332S
ON Semiconductor
XA7A100T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE600-1FG484I
Microsemi Corporation
EP4CE10F17C8LN
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
EP3SE110F1152C2N
Intel
XCS10XL-5PC84C
Xilinx Inc.
XC4VLX25-11FFG676I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
LFE3-70E-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S60B956C7
Intel