casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / NSVBSP19AT1G
codice articolo del costruttore | NSVBSP19AT1G |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-NSVBSP19AT1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NSVBSP19AT1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 350V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 4mA, 50mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 20nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 20mA, 10V |
Potenza - Max | 800mW |
Frequenza - Transizione | 70MHz |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-261-4, TO-261AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-223 (TO-261) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSVBSP19AT1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NSVBSP19AT1G-FT |
SMBT35200MT1G
ON Semiconductor
SNSS35200MR6T1G
ON Semiconductor
MBT35200MT2G
ON Semiconductor
MMBT6589T1G
ON Semiconductor
NST489AMT1
ON Semiconductor
BCP56-16T3G
ON Semiconductor
BCP56T3G
ON Semiconductor
NJT4030PT1G
ON Semiconductor
NSV1C201MZ4T1G
ON Semiconductor
NSVBCP56-10T3G
ON Semiconductor
LCMXO640C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S100E-4CPG132I
Xilinx Inc.
XC4013XL-1PQ208I
Xilinx Inc.
A3PN060-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXMA7H3F35C2
Intel
XC2VP4-5FF672C
Xilinx Inc.
LFE2-6E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HC-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115S4F45I3LG
Intel
5CGXBC9E6F35C7N
Intel