casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / PMBD6100,215
codice articolo del costruttore | PMBD6100,215 |
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Numero di parte futuro | FT-PMBD6100,215 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PMBD6100,215 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 70V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 215mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 100mA |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 4ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 50V |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-236AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMBD6100,215 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PMBD6100,215-FT |
BAS70-07S,115
Nexperia USA Inc.
BAS40XY,115
Nexperia USA Inc.
BAT74S,115
Nexperia USA Inc.
BAT754L,115
Nexperia USA Inc.
1PS88SB48,115
Nexperia USA Inc.
BAS16VY,125
Nexperia USA Inc.
BAS16VY,135
Nexperia USA Inc.
BAS16VY,165
Nexperia USA Inc.
BAT74S,135
Nexperia USA Inc.
BAV70S,115
Nexperia USA Inc.
AT6002A-4AI
Microchip Technology
M2GL025T-1VFG400I
Microsemi Corporation
10CX085YU484I5G
Intel
10M08DCF256I7G
Intel
5SGSMD8K2F40I2LN
Intel
XC4VSX35-10FFG668C
Xilinx Inc.
XC7A50T-L2CPG236E
Xilinx Inc.
AGLP125V5-CSG289I
Microsemi Corporation
EP20K160EQC240-3
Intel
EPF10K10QI208-4N
Intel