casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / BAS16VY,125
codice articolo del costruttore | BAS16VY,125 |
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Numero di parte futuro | FT-BAS16VY,125 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAS16VY,125 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 3 Independent |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 200mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 150mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 4ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500nA @ 80V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-TSSOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS16VY,125 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAS16VY,125-FT |
LDR11466
Powerex Inc.
LDR11866
Powerex Inc.
LDR11666
Powerex Inc.
LD411660
Powerex Inc.
CDD11610
Powerex Inc.
CD611616C
Powerex Inc.
CD611616B
Powerex Inc.
CD610816B
Powerex Inc.
CD412499C
Powerex Inc.
CD411699C
Powerex Inc.
XC4052XL-1HQ304C
Xilinx Inc.
XC4005XL-3PQ208C
Xilinx Inc.
XC6SLX75-N3FGG484C
Xilinx Inc.
M1A3PE1500-FGG484
Microsemi Corporation
EPF6016AFC256-2
Intel
EP3SE80F1152I3
Intel
XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-50E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation