casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / BAS16VY,125
codice articolo del costruttore | BAS16VY,125 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-BAS16VY,125 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAS16VY,125 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 3 Independent |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 200mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 150mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 4ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500nA @ 80V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-TSSOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS16VY,125 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAS16VY,125-FT |
LDR11466
Powerex Inc.
LDR11866
Powerex Inc.
LDR11666
Powerex Inc.
LD411660
Powerex Inc.
CDD11610
Powerex Inc.
CD611616C
Powerex Inc.
CD611616B
Powerex Inc.
CD610816B
Powerex Inc.
CD412499C
Powerex Inc.
CD411699C
Powerex Inc.
LFEC1E-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCS30XL-4PQ208I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-3FG484I
Xilinx Inc.
A3P030-1QNG48
Microsemi Corporation
A3P1000-1FG256T
Microsemi Corporation
EP1S25F672C6
Intel
5SGXMA5K3F35C3N
Intel
10AX016E3F27I2LG
Intel
10AX016E3F27E1SG
Intel
EPF8636AQC160-2
Intel