casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / PHX23NQ10T,127
codice articolo del costruttore | PHX23NQ10T,127 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-PHX23NQ10T,127 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchMOS™ |
PHX23NQ10T,127 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 13A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70 mOhm @ 13A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1187pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 27W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220F |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PHX23NQ10T,127 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PHX23NQ10T,127-FT |
NVMFS5C673NLT3G
ON Semiconductor
NVMFS5C673NLWFT1G
ON Semiconductor
NVMFS5C673NLWFT3G
ON Semiconductor
NVMFS5C682NLAFT3G
ON Semiconductor
NVMFS5C682NLT1G
ON Semiconductor
NVMFS5C682NLT3G
ON Semiconductor
NVMFS5C682NLWFAFT3G
ON Semiconductor
NVMFS5C682NLWFT1G
ON Semiconductor
NVMFS5C682NLWFT3G
ON Semiconductor
NVMFS6B03NLT1G
ON Semiconductor
XC4005E-2TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-2PQ208
Microsemi Corporation
M2GL050-VFG400I
Microsemi Corporation
5SGSMD4K2F40I3LN
Intel
5SGXMABN2F45I3N
Intel
5SGXMB6R2F43C3N
Intel
EP3SE260F1152I4N
Intel
LFEC1E-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-8FN672I
Lattice Semiconductor Corporation