casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / NVMFS5C682NLAFT3G
codice articolo del costruttore | NVMFS5C682NLAFT3G |
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Numero di parte futuro | FT-NVMFS5C682NLAFT3G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
NVMFS5C682NLAFT3G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 8.8A (Ta), 25A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 16µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 410pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.5W (Ta), 28W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NVMFS5C682NLAFT3G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NVMFS5C682NLAFT3G-FT |
NVMFS5C410NWFT1G
ON Semiconductor
NVMFS5C410NWFT3G
ON Semiconductor
NVMFS5C423NLAFT3G
ON Semiconductor
NVMFS5C423NLT3G
ON Semiconductor
NVMFS5C423NLWFAFT3G
ON Semiconductor
NVMFS5C423NLWFT1G
ON Semiconductor
NVMFS5C423NLWFT3G
ON Semiconductor
NVMFS5C426NAFT3G
ON Semiconductor
NVMFS5C426NT1G
ON Semiconductor
NVMFS5C426NT3G
ON Semiconductor
XC2S200-5FGG456I
Xilinx Inc.
AX1000-2FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F672I7
Intel
XC7VX980T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG160I
Microsemi Corporation
LFE2-50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K4F40I3SG
Intel