casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / PHP9NQ20T,127
codice articolo del costruttore | PHP9NQ20T,127 |
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Numero di parte futuro | FT-PHP9NQ20T,127 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchMOS™ |
PHP9NQ20T,127 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 8.7A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 4.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 959pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 88W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PHP9NQ20T,127 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PHP9NQ20T,127-FT |
BUK9M14-40EX
Nexperia USA Inc.
PSMN7R0-30MLC,115
Nexperia USA Inc.
PSMN075-100MSEX
Nexperia USA Inc.
PSMN2R4-30MLDX
Nexperia USA Inc.
PSMN4R2-30MLDX
Nexperia USA Inc.
BUK7M15-60EX
Nexperia USA Inc.
BUK7M19-60EX
Nexperia USA Inc.
BUK9M11-40EX
Nexperia USA Inc.
BUK9M156-100EX
Nexperia USA Inc.
BUK9M24-40EX
Nexperia USA Inc.
LCMXO2-640HC-4SG48C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-1TQG144
Microsemi Corporation
XC6SLX75T-4FGG484C
Xilinx Inc.
A3P600L-1FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-FCG1152E
Microsemi Corporation
A40MX04-FPL68
Microsemi Corporation
AGLN250V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F45C3N
Intel
LFXP6E-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD4H3F35C4N
Intel