casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BUK9M14-40EX
codice articolo del costruttore | BUK9M14-40EX |
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Numero di parte futuro | FT-BUK9M14-40EX |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
BUK9M14-40EX Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 44A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.3nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1211pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 55W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | LFPAK33 |
Pacchetto / caso | SOT-1210, 8-LFPAK33 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK9M14-40EX Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BUK9M14-40EX-FT |
RMW200N03TB
Rohm Semiconductor
RRS090P03TB1
Rohm Semiconductor
RRS100P03TB1
Rohm Semiconductor
SCT2H12NZGC11
Rohm Semiconductor
RMW130N03TB
Rohm Semiconductor
RMW150N03TB
Rohm Semiconductor
RMW180N03TB
Rohm Semiconductor
RMW280N03TB
Rohm Semiconductor
RP1A090ZPTR
Rohm Semiconductor
RP1E050RPTR
Rohm Semiconductor
XC2S200-5FGG456I
Xilinx Inc.
AX1000-2FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F672I7
Intel
XC7VX980T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG160I
Microsemi Corporation
LFE2-50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K4F40I3SG
Intel