casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SPB03N60C3ATMA1
codice articolo del costruttore | SPB03N60C3ATMA1 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-SPB03N60C3ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
SPB03N60C3ATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.2A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 135µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 400pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 38W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO263-3-2 |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SPB03N60C3ATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SPB03N60C3ATMA1-FT |
IRL8113STRL
Infineon Technologies
IRL8113STRLPBF
Infineon Technologies
IRL8113STRR
Infineon Technologies
IRL8113STRRPBF
Infineon Technologies
IRLS3034PBF
Infineon Technologies
IRLS3036PBF
Infineon Technologies
IRLS3036TRLPBF
Infineon Technologies
IRLS3036TRRPBF
Infineon Technologies
IRLS3813PBF
Infineon Technologies
IRLS3813TRLPBF
Infineon Technologies