casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / PHD96NQ03LT,118
codice articolo del costruttore | PHD96NQ03LT,118 |
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Numero di parte futuro | FT-PHD96NQ03LT,118 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchMOS™ |
PHD96NQ03LT,118 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 75A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.95 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26.7nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2200pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 115W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PHD96NQ03LT,118 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PHD96NQ03LT,118-FT |
PSMN3R5-80ES,127
Nexperia USA Inc.
PSMN4R3-80ES,127
Nexperia USA Inc.
PSMN7R0-100ES,127
Nexperia USA Inc.
PSMN7R8-120ESQ
Nexperia USA Inc.
PSMN7R8-120PSQ
Nexperia USA Inc.
PSMN8R5-108ESQ
NXP USA Inc.
BUK9225-55A,118
Nexperia USA Inc.
PSMN025-100D,118
Nexperia USA Inc.
BUK7275-100A,118
Nexperia USA Inc.
BUK92150-55A,118
Nexperia USA Inc.
XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
APA150-FGG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68
Microsemi Corporation
EP1M350F780C6
Intel
LCMXO2-2000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H1F34I1SG
Intel
EP1C6Q240C7N
Intel
EP1K100QC208-1GZ
Intel