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NXP USA Inc. PSMN8R5-108ESQ

Name: PSMN8R5-108ESQ
Brand: NXP USA Inc.
SKU: PSMN8R5-108ESQ
Availability: InStock
Rating: 4.6 (714 reviews)

Numero parte MFG: PSMN8R5-108ESQ

quantità disponibile: 25400 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: NXP USA Inc.

Breve descrizione: - MOSFET N-CH 108V 100A I2PAK

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: PSMN8R5-108ESQ.pdf

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PSMN8R5-108ESQ specificazioni

codice articolo del costruttore	PSMN8R5-108ESQ
Numero di parte futuro	FT-PSMN8R5-108ESQ
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
PSMN8R5-108ESQ Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	108V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	100A (Tj)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.5 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	111nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	5512pF @ 50V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	263W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	I2PAK
Pacchetto / caso	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PSMN8R5-108ESQ Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	PSMN8R5-108ESQ-FT

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