casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / PHD71NQ03LT,118
codice articolo del costruttore | PHD71NQ03LT,118 |
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Numero di parte futuro | FT-PHD71NQ03LT,118 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchMOS™ |
PHD71NQ03LT,118 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 75A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13.2nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1220pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 120W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PHD71NQ03LT,118 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PHD71NQ03LT,118-FT |
BUK9E8R5-40E,127
NXP USA Inc.
PSMN013-100ES,127
Nexperia USA Inc.
PSMN1R5-40ES,127
Nexperia USA Inc.
PSMN3R3-80ES,127
Nexperia USA Inc.
PSMN3R5-80ES,127
Nexperia USA Inc.
PSMN4R3-80ES,127
Nexperia USA Inc.
PSMN7R0-100ES,127
Nexperia USA Inc.
PSMN7R8-120ESQ
Nexperia USA Inc.
PSMN7R8-120PSQ
Nexperia USA Inc.
PSMN8R5-108ESQ
NXP USA Inc.
XC3S200-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC4020XL-1PQ208C
Xilinx Inc.
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
10M40DCF256C7G
Intel
5SGSED8K2F40I2N
Intel
XC2V2000-5FF896I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
A40MX04-PQG100M
Microsemi Corporation
LFEC15E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX40GF1020I6
Intel