casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / PHD22NQ20T,118
codice articolo del costruttore | PHD22NQ20T,118 |
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Numero di parte futuro | FT-PHD22NQ20T,118 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchMOS™ |
PHD22NQ20T,118 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 21.1A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 12A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30.8nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1380pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 150W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PHD22NQ20T,118 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PHD22NQ20T,118-FT |
BUK9E1R8-40E,127
NXP USA Inc.
BUK9E1R9-40E,127
NXP USA Inc.
BUK9E2R3-40E,127
NXP USA Inc.
BUK9E2R8-60E,127
NXP USA Inc.
BUK9E3R2-40B,127
NXP USA Inc.
BUK9E3R2-40E,127
NXP USA Inc.
BUK9E3R7-60E,127
NXP USA Inc.
BUK9E4R4-40B,127
NXP USA Inc.
BUK9E4R4-80E,127
NXP USA Inc.
BUK9E4R9-60E,127
NXP USA Inc.
XC4005E-1PQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-L1CSG484I
Xilinx Inc.
A3PN060-1VQ100I
Microsemi Corporation
10AX048K2F35E2LG
Intel
EP4S100G5F45I3
Intel
A40MX02-PLG44
Microsemi Corporation
XC7A25T-2CPG238C
Xilinx Inc.
LFEC15E-4F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA3D6F31C6N
Intel
EP1S40F1508C6N
Intel