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PH3830L,115 Image

NXP USA Inc. PH3830L,115

Numero parte MFG
PH3830L,115
quantità disponibile
13310 pezzi
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fabbricante
NXP USA Inc.
Breve descrizione
TrenchMOS™ MOSFET N-CH 30V 98A LFPAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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codice articolo del costruttore PH3830L,115
Numero di parte futuro FT-PH3830L,115
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie TrenchMOS™
PH3830L,115 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 98A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.8 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 5V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3190pF @ 10V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 62.5W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore LFPAK56, Power-SO8
Pacchetto / caso SC-100, SOT-669
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PH3830L,115 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio PH3830L,115-FT

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