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NXP USA Inc. PH1955L,115

Name: PH1955L,115
Brand: NXP USA Inc.
SKU: PH1955L,115
Availability: InStock
Rating: 4.8 (157 reviews)

Numero parte MFG: PH1955L,115

quantità disponibile: 16430 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: NXP USA Inc.

Breve descrizione: TrenchMOS™ MOSFET N-CH 55V 40A LFPAK

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: PH1955L,115.pdf

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PH1955L,115 specificazioni

codice articolo del costruttore	PH1955L,115
Numero di parte futuro	FT-PH1955L,115
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	TrenchMOS™
PH1955L,115 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	40A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	17.3 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	18nC @ 5V
Vgs (massimo)	±15V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1992pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	75W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	LFPAK56, Power-SO8
Pacchetto / caso	SC-100, SOT-669
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PH1955L,115 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	PH1955L,115-FT

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