casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / PEMD12,115
codice articolo del costruttore | PEMD12,115 |
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Numero di parte futuro | FT-PEMD12,115 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PEMD12,115 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1µA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 300mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-666 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PEMD12,115 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PEMD12,115-FT |
SMUN5213DW1T1G
ON Semiconductor
SMUN5235DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5116DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5132DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5136DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5312DW1T2G
ON Semiconductor
MUN5316DW1T1G
ON Semiconductor
NSB4904DW1T1G
ON Semiconductor
NSVMUN5113DW1T3G
ON Semiconductor
NSVMUN5133DW1T1G
ON Semiconductor
LFE2-6E-7T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC4013E-2PQ208I
Xilinx Inc.
A3PN010-QNG48I
Microsemi Corporation
LFE2M100SE-5FN1152I
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LM4K-SWG25TR50
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-3VQ100
Microsemi Corporation
10M16DCF484I6G
Intel
EP2C5F256I8N
Intel
EP3SL150F1152I4
Intel
XA7A50T-1CSG324I
Xilinx Inc.