casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / PDTD123TS,126
NXP USA Inc. PDTD123TS,126
- Numero parte MFG
- PDTD123TS,126
- quantità disponibile
- 87230 pezzi
- Prezzo di riferimento
- USD 0
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- Data di spedizione
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- fabbricante
- NXP USA Inc.
- Breve descrizione
- - TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Conformità RoHS (senza piombo)
- Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
- 1 (illimitato)
- Codice data (D / C)
- Nuovo
- categoria di prodotto
- Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
- Risorsa stock
- Distributore in franchising
- Garanzia
- 360 giorni di garanzia di qualità
- scheda dati
- PDTD123TS,126.pdf
PDTD123TS,126 specificazioni
| codice articolo del costruttore | PDTD123TS,126 |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-PDTD123TS,126 |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| PDTD123TS,126 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Obsolete |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | - |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 50mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
| Frequenza - Transizione | - |
| Potenza - Max | 500mW |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| PDTD123TS,126 Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | PDTD123TS,126-FT |
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