casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / PDTD113ZUX
codice articolo del costruttore | PDTD113ZUX |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-PDTD113ZUX |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PDTD113ZUX Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 1 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 50mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 2.5mA, 50mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | 225MHz |
Potenza - Max | 300mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-70, SOT-323 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-70 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PDTD113ZUX Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PDTD113ZUX-FT |
DDTC144VUA-7
Diodes Incorporated
DDTC144WUA-7
Diodes Incorporated
DDTD114TU-7-F
Diodes Incorporated
DDTD122LU-7
Diodes Incorporated
DDTD122TU-7
Diodes Incorporated
DDTD142JU-7
Diodes Incorporated
DDTD142TU-7
Diodes Incorporated
DRDNB16W-7
Diodes Incorporated
DRDPB16W-7
Diodes Incorporated
DRDPB26W-7
Diodes Incorporated
XC2V500-5FGG256I
Xilinx Inc.
XC6SLX150-3FG676I
Xilinx Inc.
XC2V6000-4FF1517I
Xilinx Inc.
XC3S250E-4PQG208C
Xilinx Inc.
5SGXEA3K3F40C2LN
Intel
EP4S100G2F40I2
Intel
LCMXO3LF-1300C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115S2F45I2SGES
Intel
EP4CE40F29C6N
Intel
EP1C6Q240C6
Intel