casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / DRDPB26W-7
codice articolo del costruttore | DRDPB26W-7 |
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Numero di parte futuro | FT-DRDPB26W-7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DRDPB26W-7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased + Diode |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 600mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 220 Ohms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 4.7 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 47 @ 50mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | 200MHz |
Potenza - Max | 200mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-363 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRDPB26W-7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DRDPB26W-7-FT |
DDTC114YUA-7-F
Diodes Incorporated
DDTC123EUA-7-F
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DDTC124GUA-7-F
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DDTC125TUA-7-F
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DDTC142TU-7-F
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DDTC143EUA-7-F
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DDTC143TUA-7-F
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DDTC144EUAQ-7-F
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