casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / PDTA143EM,315
codice articolo del costruttore | PDTA143EM,315 |
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Numero di parte futuro | FT-PDTA143EM,315 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PDTA143EM,315 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 4.7 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 10mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1µA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 250mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-101, SOT-883 |
Pacchetto dispositivo fornitore | DFN1006-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PDTA143EM,315 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PDTA143EM,315-FT |
MUN5231T1
ON Semiconductor
MUN5232T1
ON Semiconductor
MUN5234T1
ON Semiconductor
MUN5235T1
ON Semiconductor
MUN5236T1
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MUN5237T1
ON Semiconductor
DTC114TET1G
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DTA115EET1G
ON Semiconductor
EP1C6T144C8
Intel
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Intel
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Lattice Semiconductor Corporation
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Xilinx Inc.
M1A3P1000-1FG256
Microsemi Corporation
APA300-PQ208A
Microsemi Corporation
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EP2AGZ350HF40I4N
Intel
XC7VX690T-L2FFG1930E
Xilinx Inc.
EPF8820AQC208-3
Intel