casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / DTA115EET1G
codice articolo del costruttore | DTA115EET1G |
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Numero di parte futuro | FT-DTA115EET1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DTA115EET1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 100 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 100 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 200mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-75, SOT-416 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-75, SOT-416 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DTA115EET1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DTA115EET1G-FT |
FJX3008RTF
ON Semiconductor
FJX3014RTF
ON Semiconductor
FJX4003RTF
ON Semiconductor
FJX3001RTF
ON Semiconductor
FJX3002RTF
ON Semiconductor
FJX3003RTF
ON Semiconductor
FJX3004RTF
ON Semiconductor
FJX3005RTF
ON Semiconductor
FJX3006RTF
ON Semiconductor
FJX3009RTF
ON Semiconductor
A3P015-2QNG68
Microsemi Corporation
XA2S100E-6TQ144Q
Xilinx Inc.
LCMXO640C-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P125-2TQG144I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
EP2C35U484I8N
Intel
XCS10-4PC84C
Xilinx Inc.
XA7A15T-2CSG324I
Xilinx Inc.
LFXP3E-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel