casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / PBSS5220PAPSX
codice articolo del costruttore | PBSS5220PAPSX |
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Numero di parte futuro | FT-PBSS5220PAPSX |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
PBSS5220PAPSX Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 PNP (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 2A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 20V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 390mV @ 200mA, 2A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 1A, 2V |
Potenza - Max | 370mW |
Frequenza - Transizione | 95MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-UDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | DFN2020D-6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PBSS5220PAPSX Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PBSS5220PAPSX-FT |
BC856BDW1T3G
ON Semiconductor
SBC847BDW1T3G
ON Semiconductor
NST45010MW6T1G
ON Semiconductor
SMBT3906DW1T1G
ON Semiconductor
SMBT3946DW1T1G
ON Semiconductor
MBT2222ADW1T1G
ON Semiconductor
NST65010MW6T1G
ON Semiconductor
SBC846BDW1T1G
ON Semiconductor
SSVBC846BPDW1T1G
ON Semiconductor
NST65011MW6T1G
ON Semiconductor
M1A3P600-FG256I
Microsemi Corporation
A3P125-2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C20F484C7N
Intel
10CL016ZE144I8G
Intel
5SGSED8N3F45I4N
Intel
XC4013XL-3BG256C
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-6LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C40F324C7
Intel
EP4SGX230HF35I4
Intel
5SGSMD3H2F35I3LN
Intel