casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / NSS40300DDR2G
codice articolo del costruttore | NSS40300DDR2G |
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Numero di parte futuro | FT-NSS40300DDR2G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NSS40300DDR2G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 PNP (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 3A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 170mV @ 200mA, 2A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 180 @ 1A, 2V |
Potenza - Max | 653mW |
Frequenza - Transizione | 100MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSS40300DDR2G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NSS40300DDR2G-FT |
NST3946DXV6T5G
ON Semiconductor
NSVEMT1DXV6T1G
ON Semiconductor
BC858CDXV6T1G
ON Semiconductor
BC847CDXV6T1G
ON Semiconductor
NST3906DXV6T1G
ON Semiconductor
BC847BPDXV6T1G
ON Semiconductor
NST3904DXV6T1G
ON Semiconductor
NST30010MXV6T1G
ON Semiconductor
NSVEMT1DXV6T5G
ON Semiconductor
NSVEMX1DXV6T1G
ON Semiconductor
LFXP2-8E-7TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7S50-1FTGB196I
Xilinx Inc.
A3P600L-1FG256
Microsemi Corporation
10M16DAF256I7G
Intel
5SGSMD3E3H29I4N
Intel
A40MX04-1PL44I
Microsemi Corporation
LFX200EB-04F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC10E-3FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA5F23C7N
Intel