casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / NSS40300DDR2G
codice articolo del costruttore | NSS40300DDR2G |
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Numero di parte futuro | FT-NSS40300DDR2G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NSS40300DDR2G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 PNP (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 3A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 170mV @ 200mA, 2A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 180 @ 1A, 2V |
Potenza - Max | 653mW |
Frequenza - Transizione | 100MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSS40300DDR2G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NSS40300DDR2G-FT |
NST3946DXV6T5G
ON Semiconductor
NSVEMT1DXV6T1G
ON Semiconductor
BC858CDXV6T1G
ON Semiconductor
BC847CDXV6T1G
ON Semiconductor
NST3906DXV6T1G
ON Semiconductor
BC847BPDXV6T1G
ON Semiconductor
NST3904DXV6T1G
ON Semiconductor
NST30010MXV6T1G
ON Semiconductor
NSVEMT1DXV6T5G
ON Semiconductor
NSVEMX1DXV6T1G
ON Semiconductor
A3PN020-1QNG68I
Microsemi Corporation
LFXP2-8E-6TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX16-3FT256I
Xilinx Inc.
M1A3PE3000-FG484
Microsemi Corporation
APA600-FG256
Microsemi Corporation
EP20K200EFC672-2
Intel
5SGSMD5K3F40I4N
Intel
5SGXMABK2H40I3N
Intel
5SGXEA5K3F35C2N
Intel
XC5VLX220-1FFG1760I
Xilinx Inc.