casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / PBSS4160XX
codice articolo del costruttore | PBSS4160XX |
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Numero di parte futuro | FT-PBSS4160XX |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
PBSS4160XX Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 1A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 50mA, 500mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 170 @ 500mA, 10V |
Potenza - Max | 1.35W |
Frequenza - Transizione | 180MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-243AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-89 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PBSS4160XX Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PBSS4160XX-FT |
BC857AMB,315
Nexperia USA Inc.
BC857CMB,315
Nexperia USA Inc.
PBSS2540MB,315
Nexperia USA Inc.
PDTA143EMB,315
Nexperia USA Inc.
PMBT3904MB,315
Nexperia USA Inc.
PMBT3906MB,315
Nexperia USA Inc.
BC817-40QAZ
Nexperia USA Inc.
PMBT2222AQAZ
Nexperia USA Inc.
PMBT2907AQAZ
Nexperia USA Inc.
PBSS5130QAZ
Nexperia USA Inc.
LCMXO2-1200ZE-1TG100CR1
Lattice Semiconductor Corporation
M1A3P1000-2FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-FG256
Microsemi Corporation
A3P600-2PQG208I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EFC672-3
Intel
5SGSED8K3F40C2LN
Intel
EP3SE80F1152I3
Intel
XA7A50T-1CSG324I
Xilinx Inc.
EPF10K200SBC356-1X
Intel