casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / PBSS2540MB,315
codice articolo del costruttore | PBSS2540MB,315 |
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Numero di parte futuro | FT-PBSS2540MB,315 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PBSS2540MB,315 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 50mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100µA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 10mA, 2V |
Potenza - Max | 250mW |
Frequenza - Transizione | 450MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 3-XFDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | DFN1006B-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PBSS2540MB,315 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PBSS2540MB,315-FT |
BCP53-16TX
Nexperia USA Inc.
BCP53TX
Nexperia USA Inc.
BCP56-10TX
Nexperia USA Inc.
BCP56-16TF
Nexperia USA Inc.
BCP56-16TX
Nexperia USA Inc.
BCP56TX
Nexperia USA Inc.
PBHV8215Z,115
Nexperia USA Inc.
PBHV8560ZX
Nexperia USA Inc.
PBHV9115Z,115
Nexperia USA Inc.
PBHV9215Z,115
Nexperia USA Inc.
LCMXO2-1200ZE-1TG100CR1
Lattice Semiconductor Corporation
M1A3P1000-2FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-FG256
Microsemi Corporation
A3P600-2PQG208I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EFC672-3
Intel
5SGSED8K3F40C2LN
Intel
EP3SE80F1152I3
Intel
XA7A50T-1CSG324I
Xilinx Inc.
EPF10K200SBC356-1X
Intel