casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / PBSS4160PANP,115
codice articolo del costruttore | PBSS4160PANP,115 |
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Numero di parte futuro | FT-PBSS4160PANP,115 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PBSS4160PANP,115 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN, PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 1A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 120mV @ 50mA, 500mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 150 @ 500mA, 2V |
Potenza - Max | 510mW |
Frequenza - Transizione | 175MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-UDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-HUSON-EP (2x2) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PBSS4160PANP,115 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PBSS4160PANP,115-FT |
SBC857BDW1T1G
ON Semiconductor
NSVT45010MW6T3G
ON Semiconductor
BC847BDW1T3G
ON Semiconductor
BC847BPDW1T3G
ON Semiconductor
MBT6429DW1T1G
ON Semiconductor
SBC856BDW1T1G
ON Semiconductor
BC846BPDW1T1G
ON Semiconductor
BC857CDW1T1G
ON Semiconductor
SBC847BPDW1T3G
ON Semiconductor
BC847BPDW1T2G
ON Semiconductor
LCMXO640C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3SD3400A-4CSG484I
Xilinx Inc.
XCS05-3VQ100I
Xilinx Inc.
10CX220YU484I5G
Intel
5SGXEA9K2H40C2N
Intel
XC5VLX30-1FF324I
Xilinx Inc.
M1AFS1500-1FGG676
Microsemi Corporation
LFE2-12E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U1F45E1SG
Intel