casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / PBSS4160PANP,115
codice articolo del costruttore | PBSS4160PANP,115 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-PBSS4160PANP,115 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PBSS4160PANP,115 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN, PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 1A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 120mV @ 50mA, 500mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 150 @ 500mA, 2V |
Potenza - Max | 510mW |
Frequenza - Transizione | 175MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-UDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-HUSON-EP (2x2) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PBSS4160PANP,115 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PBSS4160PANP,115-FT |
SBC857BDW1T1G
ON Semiconductor
NSVT45010MW6T3G
ON Semiconductor
BC847BDW1T3G
ON Semiconductor
BC847BPDW1T3G
ON Semiconductor
MBT6429DW1T1G
ON Semiconductor
SBC856BDW1T1G
ON Semiconductor
BC846BPDW1T1G
ON Semiconductor
BC857CDW1T1G
ON Semiconductor
SBC847BPDW1T3G
ON Semiconductor
BC847BPDW1T2G
ON Semiconductor
XC3S400-4FG320C
Xilinx Inc.
XC3S250E-4PQ208C
Xilinx Inc.
XA7A100T-1FGG484I
Xilinx Inc.
EP2C35U484C7
Intel
XC2VP20-5FF896I
Xilinx Inc.
XC7S6-1CSGA225Q
Xilinx Inc.
A42MX16-1PQG100
Microsemi Corporation
LCMXO3L-640E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA5F23I7N
Intel
EP4CE30F29I7
Intel