casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / PBRN123EK,115
codice articolo del costruttore | PBRN123EK,115 |
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Numero di parte futuro | FT-PBRN123EK,115 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PBRN123EK,115 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 600mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 2.2 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 280 @ 300mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.15V @ 8mA, 800mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 250mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMT3; MPAK |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PBRN123EK,115 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PBRN123EK,115-FT |
DRC2643T0L
Panasonic Electronic Components
FJV4113RMTF
ON Semiconductor
BCR 108 B6327
Infineon Technologies
BCR 119 E6433
Infineon Technologies
BCR 133 B6327
Infineon Technologies
BCR 135 B6327
Infineon Technologies
BCR 148 B6327
Infineon Technologies
BCR 158 B6327
Infineon Technologies
BCR 162 B6327
Infineon Technologies
BCR 183 B6327
Infineon Technologies
LFXP3C-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S400A-4FGG400Q
Xilinx Inc.
AGLN020V5-CSG81
Microsemi Corporation
M2GL010TS-1VFG256
Microsemi Corporation
ICE65L01F-LQN84I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA7H3F35C4N
Intel
XC5VSX50T-1FF1136C
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC3B6U19I7N
Intel
EPF6024AQC208-3
Intel