casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / PBRN123EK,115
codice articolo del costruttore | PBRN123EK,115 |
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Numero di parte futuro | FT-PBRN123EK,115 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PBRN123EK,115 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 600mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 2.2 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 280 @ 300mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.15V @ 8mA, 800mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 250mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMT3; MPAK |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PBRN123EK,115 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PBRN123EK,115-FT |
DRC2643T0L
Panasonic Electronic Components
FJV4113RMTF
ON Semiconductor
BCR 108 B6327
Infineon Technologies
BCR 119 E6433
Infineon Technologies
BCR 133 B6327
Infineon Technologies
BCR 135 B6327
Infineon Technologies
BCR 148 B6327
Infineon Technologies
BCR 158 B6327
Infineon Technologies
BCR 162 B6327
Infineon Technologies
BCR 183 B6327
Infineon Technologies
XC3S1200E-4FGG400C
Xilinx Inc.
XC3S400AN-4FGG400I
Xilinx Inc.
5SGXMB6R3F43I4N
Intel
XC5VSX50T-2FFG1136I
Xilinx Inc.
XC7VX485T-1FFG1761I
Xilinx Inc.
A42MX24-FPQG160
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-2100C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB3G4F35I5G
Intel
EPF10K100ARI240-3N
Intel
5SGXEA3H3F35I4N
Intel