casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / BCR 108 B6327
codice articolo del costruttore | BCR 108 B6327 |
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Numero di parte futuro | FT-BCR 108 B6327 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BCR 108 B6327 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
Frequenza - Transizione | 170MHz |
Potenza - Max | 200mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BCR 108 B6327 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BCR 108 B6327-FT |
UNR221M00L
Panasonic Electronic Components
FJV3114RMTF
ON Semiconductor
BCR183E6327HTSA1
Infineon Technologies
UNR211V00L
Panasonic Electronic Components
BCR142E6327HTSA1
Infineon Technologies
BCR198E6327HTSA1
Infineon Technologies
BCR512E6327HTSA1
Infineon Technologies
BCR555E6327HTSA1
Infineon Technologies
FJV3110RMTF
ON Semiconductor
UNR211E00L
Panasonic Electronic Components
XC3S50-5VQ100C
Xilinx Inc.
EP3C25F256C8
Intel
XC5VLX50T-2FFG665C
Xilinx Inc.
XC7K325T-1FF900C
Xilinx Inc.
M1AGL600V2-FG144
Microsemi Corporation
M1AGL600V5-FGG144
Microsemi Corporation
LFE2-20E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5M100C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R4F40I3SG
Intel
EP3C40F324C7
Intel