casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / BCR 108 B6327
codice articolo del costruttore | BCR 108 B6327 |
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Numero di parte futuro | FT-BCR 108 B6327 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BCR 108 B6327 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
Frequenza - Transizione | 170MHz |
Potenza - Max | 200mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BCR 108 B6327 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BCR 108 B6327-FT |
UNR221M00L
Panasonic Electronic Components
FJV3114RMTF
ON Semiconductor
BCR183E6327HTSA1
Infineon Technologies
UNR211V00L
Panasonic Electronic Components
BCR142E6327HTSA1
Infineon Technologies
BCR198E6327HTSA1
Infineon Technologies
BCR512E6327HTSA1
Infineon Technologies
BCR555E6327HTSA1
Infineon Technologies
FJV3110RMTF
ON Semiconductor
UNR211E00L
Panasonic Electronic Components
A1225A-1PQ100I
Microsemi Corporation
XC3SD1800A-5CSG484C
Xilinx Inc.
XC3S1400A-4FG676C
Xilinx Inc.
MPF300TL-FCVG484E
Microsemi Corporation
EPF10K50EFC484-2
Intel
A40MX04-3PL44I
Microsemi Corporation
LFEC1E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-50E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB7D4F35C4N
Intel
EP1C20F324C7N
Intel