casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / PBLS2001S,115
codice articolo del costruttore | PBLS2001S,115 |
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Numero di parte futuro | FT-PBLS2001S,115 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PBLS2001S,115 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA, 3A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V, 20V |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 2.2 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 20mA, 5V / 150 @ 2A, 2V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA / 355mV @ 300mA, 3A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1µA, 100nA |
Frequenza - Transizione | 100MHz |
Potenza - Max | 1.5W |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PBLS2001S,115 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PBLS2001S,115-FT |
NSTB60BDW1T1
ON Semiconductor
NSB1706DMW5T1G
ON Semiconductor
NSVUMC2NT1G
ON Semiconductor
UMC3NT1G
ON Semiconductor
NSVUMC5NT2G
ON Semiconductor
NSVUMC3NT1G
ON Semiconductor
NSVB1706DMW5T1G
ON Semiconductor
NSB1706DMW5T1
ON Semiconductor
UMA4NT1
ON Semiconductor
UMA4NT1G
ON Semiconductor
XA2S150E-6FT256Q
Xilinx Inc.
XC3S4000L-4FGG900C
Xilinx Inc.
XC4020XL-3PQ208C
Xilinx Inc.
M2GL050-FGG484
Microsemi Corporation
APA1000-PQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7VX330T-2FF1157I
Xilinx Inc.
LFE3-17EA-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F45I2LG
Intel
EP3C40F324A7N
Intel