casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / PB3508-E3/45
codice articolo del costruttore | PB3508-E3/45 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-PB3508-E3/45 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PB3508-E3/45 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 35A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 17.5A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 800V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-ESIP, PB |
Pacchetto dispositivo fornitore | isoCINK+™ PB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PB3508-E3/45 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PB3508-E3/45-FT |
KBPC1510W-G
Comchip Technology
KBPC25005W-G
Comchip Technology
KBPC2501W-G
Comchip Technology
KBPC2502W-G
Comchip Technology
KBPC2504W-G
Comchip Technology
KBPC2508W-G
Comchip Technology
KBPC2510W-G
Comchip Technology
KBPC35005W-G
Comchip Technology
KBPC3501W-G
Comchip Technology
KBPC3502W-G
Comchip Technology
XC6SLX9-3FTG256C
Xilinx Inc.
XC4025E-4HQ304I
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
M1A3PE3000-1FG484
Microsemi Corporation
A3PE1500-1PQ208
Microsemi Corporation
EPF10K200EBC600-1
Intel
5SGXMB6R3F43C4N
Intel
A54SX32A-1TQG100M
Microsemi Corporation
10AX066N2F40I2SGES
Intel
5AGXBB1D6F35C6N
Intel