casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / KBPC3501W-G
codice articolo del costruttore | KBPC3501W-G |
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Numero di parte futuro | FT-KBPC3501W-G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
KBPC3501W-G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 35A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 17.5A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 100V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-Square, KBPC-W |
Pacchetto dispositivo fornitore | KBPC-W |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
KBPC3501W-G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | KBPC3501W-G-FT |
CDBHM220L-HF
Comchip Technology
CDBHM230L-HF
Comchip Technology
CDBHM240L-G
Comchip Technology
CDBHM250L-G
Comchip Technology
CDBHM250L-HF
Comchip Technology
CDBHM260L-G
Comchip Technology
CDBHM280L-G
Comchip Technology
CDBHM280L-HF
Comchip Technology
CDBHM290L-G
Comchip Technology
CDBHM290L-HF
Comchip Technology
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
AGLN250V5-ZVQG100
Microsemi Corporation
EP1C6F256C6
Intel
5SGSMD5K1F40C2L
Intel
EP4SGX290KF43I4N
Intel
EP3SL200F1152C3N
Intel
XC4VFX100-10FF1152C
Xilinx Inc.
XC7S25-1CSGA324Q
Xilinx Inc.
A42MX09-2TQG176
Microsemi Corporation
EP1S80F1508C5N
Intel