casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BUK963R1-40E,118
codice articolo del costruttore | BUK963R1-40E,118 |
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Numero di parte futuro | FT-BUK963R1-40E,118 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
BUK963R1-40E,118 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 69.5nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 9150pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 234W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK963R1-40E,118 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BUK963R1-40E,118-FT |
BUK9606-75B,118
Nexperia USA Inc.
BUK9616-75B,118
Nexperia USA Inc.
BUK965R8-100E,118
Nexperia USA Inc.
PHB33NQ20T,118
Nexperia USA Inc.
PHB66NQ03LT,118
Nexperia USA Inc.
PSMN017-30BL,118
Nexperia USA Inc.
PSMN035-150B,118
Nexperia USA Inc.
PSMN3R0-60BS,118
Nexperia USA Inc.
PSMN3R4-30BLE,118
Nexperia USA Inc.
PSMN4R5-40BS,118
Nexperia USA Inc.
XA3S500E-4FTG256I
Xilinx Inc.
XA6SLX25T-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
APA300-BGG456M
Microsemi Corporation
A54SX16A-FGG256I
Microsemi Corporation
AT40K20-2AQC
Microchip Technology
EP2S30F672C4
Intel
10M40DCF672C7G
Intel
A42MX16-3PQ100
Microsemi Corporation
EP4CGX22CF19C6N
Intel