casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / NVTJD4105CT1G
codice articolo del costruttore | NVTJD4105CT1G |
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Numero di parte futuro | FT-NVTJD4105CT1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NVTJD4105CT1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | - |
Tecnologia | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | - |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NVTJD4105CT1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NVTJD4105CT1G-FT |
2N7002KT3G
ON Semiconductor
2N7002LT1
ON Semiconductor
2N7002LT3
ON Semiconductor
3LN01C-TB-E
ON Semiconductor
3LN01C-TB-H
ON Semiconductor
3LP01C-TB-E
ON Semiconductor
3LP01C-TB-H
ON Semiconductor
5LN01C-TB-E
ON Semiconductor
5LN01C-TB-H
ON Semiconductor
5LP01C-TB-E
ON Semiconductor
LCMXO1200E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-2PQ100C
Microsemi Corporation
XC6SLX9-2FT256I
Xilinx Inc.
A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
EP2A15F672C7AA
Intel
EP3CLS70U484I7
Intel
5SGSED6K2F40C3N
Intel
EP4CE10E22C9L
Intel
LFE3-70E-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EBC652-1X
Intel