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ON Semiconductor 3LN01C-TB-E
- Numero parte MFG
- 3LN01C-TB-E
- quantità disponibile
- 65670 pezzi
- Prezzo di riferimento
- USD 0
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- Data di spedizione
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- fabbricante
- ON Semiconductor
- Breve descrizione
- - MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Conformità RoHS (senza piombo)
- Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
- 1 (illimitato)
- Codice data (D / C)
- Nuovo
- categoria di prodotto
- Transistor - FET, MOSFETs - Single
- Risorsa stock
- Distributore in franchising
- Garanzia
- 360 giorni di garanzia di qualità
- scheda dati
- 3LN01C-TB-E.pdf
3LN01C-TB-E specificazioni
| codice articolo del costruttore | 3LN01C-TB-E |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-3LN01C-TB-E |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| 3LN01C-TB-E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 150mA (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.5V, 4V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.7 Ohm @ 80mA, 4V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.58nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 7pF @ 10V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 250mW (Ta) |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 3-CP |
| Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| 3LN01C-TB-E Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | 3LN01C-TB-E-FT |
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