casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / NVMYS1D3N04CTWG
codice articolo del costruttore | NVMYS1D3N04CTWG |
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Numero di parte futuro | FT-NVMYS1D3N04CTWG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
NVMYS1D3N04CTWG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | - |
Tecnologia | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | - |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | LFPAK4 (5x6) |
Pacchetto / caso | SC-100, SOT-669 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NVMYS1D3N04CTWG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NVMYS1D3N04CTWG-FT |
NP110N04PUK-E1-AY
Renesas Electronics America
NP110N055PUG(1)-E1-AY
Renesas Electronics America
NP110N055PUJ-E1B-AY
Renesas Electronics America
NP110N055PUK-E1-AY
Renesas Electronics America
NP15P04SLG(2)-E1-AY
Renesas Electronics America
NP160N04TDG-E1-AY
Renesas Electronics America
NP160N04TUJ-E1-AY
Renesas Electronics America
NP160N04TUJ-E2-AY
Renesas Electronics America
NP160N055TUJ-E1-AY
Renesas Electronics America
NP160N055TUJ-E2-AY
Renesas Electronics America
LCMXO2-1200ZE-2TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1400AN-4FGG484C
Xilinx Inc.
10M08DCF484C8G
Intel
5SGXMB5R3F43C3N
Intel
5SGXMA7H3F35I3
Intel
LCMXO2280E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGTFC7H3F35I3G
Intel
EP1C4F400C8
Intel
EP20K200EBC356-1
Intel