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Renesas Electronics America NP160N04TDG-E1-AY

Name: NP160N04TDG-E1-AY
Brand: Renesas Electronics America
SKU: NP160N04TDG-E1-AY
Availability: InStock
Rating: 4.5 (613 reviews)

Numero parte MFG: NP160N04TDG-E1-AY

quantità disponibile: 81970 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

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fabbricante: Renesas Electronics America

Breve descrizione: - MOSFET N-CH 40V 160A TO-263

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: NP160N04TDG-E1-AY.pdf

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NP160N04TDG-E1-AY specificazioni

codice articolo del costruttore	NP160N04TDG-E1-AY
Numero di parte futuro	FT-NP160N04TDG-E1-AY
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
NP160N04TDG-E1-AY Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	160A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	270nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	15750pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1.8W (Ta), 220W (Tc)
temperatura di esercizio	175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-263-7
Pacchetto / caso	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NP160N04TDG-E1-AY Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	NP160N04TDG-E1-AY-FT

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