casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / NVMFS5C468NLWFT3G
codice articolo del costruttore | NVMFS5C468NLWFT3G |
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Numero di parte futuro | FT-NVMFS5C468NLWFT3G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NVMFS5C468NLWFT3G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.3 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.3nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 570pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.5W (Ta), 28W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NVMFS5C468NLWFT3G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NVMFS5C468NLWFT3G-FT |
NVMFS5832NLWFT1G
ON Semiconductor
NVMFS5832NLWFT3G
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NVMFS5833NT1G
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NVMFS5833NT3G
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NVMFS5833NWFT1G
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NVMFS5833NWFT3G
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NVMFS5834NLT3G
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NVMFS5834NLWFT3G
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NVMFS5844NLT1G
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NVMFS5844NLT3G
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